Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 60 A 4.25 → 16V PQFN

Die integrierte Leistungsstufe von Infineon kombiniert die Advanced Low Voltage MOSFET-Technologie mit dem neuesten Treiberdesign. Diese Integration von Treibertechnologie, FET-Technologie und Gehäusetechnologie demonstriert auch die leistungsfähige Kombination der Fähigkeiten von Infineon und International Rectifier. Die Totzeit der zweikantenigen Trimmung führt zu einer deutlichen Verbesserung der Peak Effiffizienz. Die interne MOSFET-RDS(on)-Stromerfassung (über einen dedizierten Kelvin-GND-Anschluss) mit integrierter Temperaturkompensation erreicht eine überlegene Stromsensorgenauigkeit im Vergleich zu DCR-Sensormethoden der Induktivität.

Kleines überformtes PQFN-Gehäuse mit 5 x 6 x 0,9 mm3, Rastermaß 0,45 mm
Sehr genaue Stromberichte
Programmierbare Konstantstrombegrenzung OCSET
Schnelle Schalttechnologie für verbesserte Leistung bei höherer Frequenz, bessere Peak Effiency
Eingangsspannungsbereich 4,25 V bis 16 V.
Ausgangsspannungsbereich von 0,25 V bis 5,5 V
Ausgangsstrombelastbarkeit von 60 A.
Betrieb bis 1,5 MHz
Optimiert für 5-V-Antrieb