Skyworks Solutions Inc MOSFET-Gate-Ansteuerung TTL 1,8 A, 4 A. 5.5V 14-Pin QFN 18ns

SI8275DB-IM1-Geräte bieten Optionen für einen VIA-, VIB-Eingang und einen Zweifach-Treiber. Der Si8275DB-IM1 mit seiner hohen Störfestigkeit beseitigt das Risiko durch faster Schaltgeschwindigkeiten. Die durch das faster Schalten erzeugten hohen Rauschtransienten haben keine Auswirkungen auf die Signalintegrität durch den Treiber und beseitigen so das Risiko eines Modulationsverlustes. Die sehr hohe Latch-Up-Spezifikation von 400 kV/μs macht Si8275DB-IM1-Geräte extrem robust, verhindert dauerhafte Latch-Up-Schäden und verfügt über UVLO-Fehlerschutz, einen Entstörschaltkreis zum Filtern von lauten Eingängen und eine sehr präzise Totzeit (DT-Pin) Programmierbarkeit. Mit dieser Funktion kann der Benutzer die "Totzeit" zwischen den beiden Treiberschaltungen präzise steuern, um die Systemeffizienz und Sicherheit zu optimieren. Die Treiber arbeiten mit einem großen Bereich von 2,5-5,5-V-Eingang VDD und einer maximalen Treiberversorgungsspannung von 30 V.