onsemi MOSFET MOSFET 7.8 A 1 16-Pin SOIC 20 V 7.9 ns
- RS Best.-Nr.:
- 185-9281
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV5702DR2G
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 3 Stück)*
€ 10,011
(ohne MwSt.)
€ 12,012
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 3 - 27 | € 3,337 | € 10,01 |
| 30 - 297 | € 2,877 | € 8,63 |
| 300 - 1497 | € 2,493 | € 7,48 |
| 1500 + | € 2,193 | € 6,58 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 185-9281
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV5702DR2G
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 7.8A | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 7.9ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Anstiegszeit | 9.2ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 10mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 7.8A | ||
Pinanzahl 16 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 7.9ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Anstiegszeit 9.2ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 10mm | ||
Breite 4 mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- PH
Starkstromausgang (+4,0/-6,0 A) bei IGBT-Miller-Plateau-Spannungen
Niedrige VOH und VOL
Aktive Miller-Klemme
DESAT-Schutz mit programmierbarer Verzögerung
Geringere Schaltverluste und kurze Schaltzeiten
Vollständige Erweiterung von IGBT
Verhindert falsches Gate-Einschalten
Verbesserter programmierbarer Schutz
Anwendungen
Endprodukte
DC/AC-Wechselrichter
Akkuladegerät
Automobil-PTC-Heizgerät
Integrierte Ladegeräte
Xev-Ladegeräte
KFZ-Wechselrichter
Wechselrichter für Traktion
Verwandte Links
- onsemi MOSFET MOSFET 7.8 A 1 16-Pin SOIC 20 V 7.9 ns
- onsemi NCD5703ADR2G MOSFET MOSFET 7.8 A 1 8-Pin SOIC 20 V 7.9 ns
- onsemi NCV5703ADR2G MOSFET MOSFET 7.8 A 1 8-Pin SOIC 20 V 7.9 ns
- onsemi MOSFET MOSFET 7.8 A 1 8-Pin SOIC 20 V 7.9 ns
- onsemi NCV5700DR2G MOSFET MOSFET 7.8 A 1 16-Pin SO-16 30 V 7.9 ns
- onsemi NCV5705BDR2G Universaltreiber Universal 4 A 1 8-Pin SOIC 20 V 7.9 ns
- onsemi MOSFET MOSFET 7.8 A 1 16-Pin SO-16 30 V 7.9 ns
- onsemi Universaltreiber Universal 4 A 1 8-Pin SOIC 20 V 7.9 ns