onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 6,8 A, 7,8 A 5V 8-Pin SOIC 7.9ns

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RS Best.-Nr.:
185-8105
Herst. Teile-Nr.:
NCV5703BDR2G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Ausgangsstrom

6,8 A, 7,8 A

Versorgungsspannung

5V

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

7.9ns

Anzahl der Ausgänge

1

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

9.2ns

Topologie

Gate-Treiber

Anzahl der Treiber

1

Zeitverzögerung

75ns

Brücken-Typ

Halbbrücke

Montage-Typ

SMD

Automobilstandard

AEC-Q100

Ursprungsland:
PH
Starkstromausgang (+4,0/-6,0 A) bei IGBT-Miller-Plateau-Spannungen
Niedrige VOH und VOL
Aktive Miller Klemme (nur NCD5701A)
DESAT-Schutz mit programmierbarer Verzögerung
Geringere Schaltverluste und kurze Schaltzeiten
Vollständige Erweiterung von IGBT
Verhindert falsches Gate-Einschalten
Verbesserter programmierbarer Schutz
Anwendungen
DC/AC-Wechselrichter
Akkuladegerät
PFC
Motortreiber
Treiber
Endprodukte
Solarwechselrichter
Nicht austauschbare Netzteile (USV)
Motorsteuerung
Induktionskocher
Inverter-Schweißgerät

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