onsemi MOSFET MOSFET 6 A 1 24-Pin QFN 22 V 15 ns
- RS Best.-Nr.:
- 178-4261
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP51705MNTXG
- Hersteller:
- onsemi
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- NCP51705MNTXG
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 6A | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Gehäusegröße | QFN | |
| Abfallzeit | 15ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 15ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 22V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 22V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Serie | NCP51705 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 6A | ||
Pinanzahl 24 | ||
Gehäusegröße QFN | ||
Abfallzeit 15ns | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 15ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 22V | ||
Maximale Versorgungsspannung 22V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Breite 4 mm | ||
Serie NCP51705 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
The NCP51705 driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. To achieve the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum allowable gate voltage to the SiC MOSFET device. By providing high peak current during turn−on and turn−off, switching losses are also minimized. For improved reliability, dV/dt immunity and even faster turn−off, the NCP51705 can utilize its on−board charge pump to generate a user selectable negative voltage rail.
Allow independent Turn-ON/Turn-OFF Adjustment
Efficient SiC MOSFET Operation during the Conduction Period
Fast Turn-off and Robust dV/dt Immunity
Minimize complexity of bias supply in isolated gate drive applications
Sufficient VGS amplitude to match SiC best performance
Self protection of the design
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