Microchip Gate-Treiber Doppelt 6 A 2 8-Pin SOIC 18 V 20 ns
- RS Best.-Nr.:
- 649-450
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP1407T-E/SN
- Hersteller:
- Microchip
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- MCP1407T-E/SN
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 6A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 20ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Ausgänge | 1 | |
| Treiber-Typ | Doppelt | |
| Anstiegszeit | 40ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 18V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 3 mm | |
| Normen/Zulassungen | ESD 2 kV (HBM), 400V (MM) | |
| Serie | MCP1406/07 | |
| Montageart | Oberfläche, Durchsteckmontage | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 6A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 20ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Ausgänge 1 | ||
Treiber-Typ Doppelt | ||
Anstiegszeit 40ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 18V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 3 mm | ||
Normen/Zulassungen ESD 2 kV (HBM), 400V (MM) | ||
Serie MCP1406/07 | ||
Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Die Puffer und MOSFET-Gate-Treiber von Microchip verfügen über einen einzelnen Ausgang mit einer Spitzenstromkapazität von 6 A, geringem Durchschussstrom, angepassten Anstiegs- und Abfallzeiten sowie Übertragungsverzögerungszeiten. Diese Geräte sind pinkompatibel und stellen verbesserte MOSFET-Treiber dar. Die Gate-Treiber können eine Gate-Kapazität von 2500 pF in weniger als 20 ns problemlos laden und entladen und bieten ausreichend niedrige Impedanzen (sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand), um sicherzustellen, dass der beabsichtigte Zustand der MOSFETs selbst durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird.
Geringer Durchschuss- und Querleitungsstrom in der Ausgangsstufe
4,5 V bis 18 V
Angepasste Anstiegs- und Abfallzeiten
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