Microchip Gate-Treiber Low-Side 3 A 1 8-Pin PDIP 16 V 20 ns

Der Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber von Microchip ist so konzipiert, dass er bis zu 5 V Spitzenrauschen jeder Polarität auf dem Erdungsstift ohne Beschädigung standhält. Er kann bis zu 500 mA Umkehrstrom (entweder Polarität) aufnehmen, der gezwungen in seinen Ausgang zurückgeführt wird, ohne Schäden oder Logikstörungen zu verursachen. Alle Anschlussklemmen sind vollständig gegen elektrostatische Entladung (ESD) bis zu 2,0 kV (HBM) und 400 V (MM) geschützt. Dieser Treiber kann leicht eine Gate-Kapazität von 1800 pF in 20 ns mit passenden Steig- und Fallzeiten aufladen. Es sorgt dafür, dass der beabsichtigte Zustand des MOSFETs unberührt bleibt von großen Übergangssignalen und eine niedrige Impedanz sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand bietet.

Beständig gegen 500 ma Rückstrom