Microchip Gate-Treiber Low-Side 1.5 A 1 8-Pin 20 V 15 ns
- RS Best.-Nr.:
- 598-368
- Herst. Teile-Nr.:
- MIC4127YME-TR
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 1.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 15ns | |
| Treiber-Typ | Low-Side | |
| Anstiegszeit | 13ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 3 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | MIC4126/27/28 | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 1.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 15ns | ||
Treiber-Typ Low-Side | ||
Anstiegszeit 13ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 3 mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie MIC4126/27/28 | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Hochgeschwindigkeits-Hochstrom-Zweikanal-MOSFET-Treiber von Microchip wurde für optimalen Wirkungsgrad in Strommanagementsystemen entwickelt. Dieser fortschrittliche Treiber bietet eine außergewöhnliche Schaltleistung für anspruchsvolle Anwendungen, die schnelle Übergänge und minimale Leistungsverluste erfordern. Ideal zum Antrieb von Leistungs-MOSFETs und IGBTs bietet er eine benutzerfreundliche Schnittstelle mit einer einfachen Stiftkonfiguration. Mit seiner verbesserten thermischen Leistung und seinem robusten Design zeichnet sich dieses Produkt als eine zuverlässige Lösung für Ingenieure aus, die sich bei ihren Entwürfen sowohl auf Effizienz als auch auf die Leistungsdichte konzentrieren. Dieser vielseitige Treiber ermöglicht Flexibilität und einfache Integration, was ihn zu einer idealen Wahl für eine Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen macht.
Liefert einen hohen Spitzenausgangsstrom für schnelles Schalten
Entwickelt zum effektiven Antrieb von N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs
Bietet einen großen Versorgungsspannungsbereich für vielseitigen Einsatz
Mit integrierter Unterspannungsverriegelung zum Schutz der Stromkreisintegrität
Unterstützt komplementäre Ausgänge für effizienten Betrieb
Verbesserte thermische Leistung für zuverlässigen langfristigen Betrieb
Kompakte Gehäusegröße erleichtert das platzsparende Design in Stromkreisen
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