MPS MOSFET High-Side 4 A 2 10-Pin QFN-10 12 ns
- RS Best.-Nr.:
- 337-505
- Herst. Teile-Nr.:
- MP1917AGR-P
- Hersteller:
- MPS
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | MPS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 4A | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Abfallzeit | 12ns | |
| Gehäusegröße | QFN-10 | |
| Treiber-Typ | High-Side | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke MPS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 4A | ||
Pinanzahl 10 | ||
Abfallzeit 12ns | ||
Gehäusegröße QFN-10 | ||
Treiber-Typ High-Side | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 100-V-4-A-Halbbrücken-Gate-Treiber von MPS International Ltd ist ein Hochfrequenz-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber. Seine Low-Side- und High-Side-Treiberkanäle werden unabhängig gesteuert und mit einer Zeitverzögerung von weniger als 5 ns abgestimmt. Die Unterspannungsverriegelung sowohl auf der Hoch- als auch auf der Niederseite der Versorgung zwingt die Ausgänge zu niedrig, falls die Versorgung nicht ausreicht. Die integrierte Bootstrap-Diode reduziert die Anzahl der externen Komponenten.
Antrieb einer N-Kanal-MOSFET-Halbbrücke
115-V-Bootstrap-Spannungsbereich
On-Chip-Bootstrap-Diode
Typische Ausbreitungsverzögerung von 20 ns
Gate-Treiberpassung von weniger als 5 ns
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