MPS MOSFET High-Side 2.5 A 2 10-Pin QFN-10 9 ns
- RS Best.-Nr.:
- 337-499P
- Herst. Teile-Nr.:
- MP1907AGQ-P
- Hersteller:
- MPS
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | MPS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 2.5A | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Gehäusegröße | QFN-10 | |
| Abfallzeit | 9ns | |
| Treiber-Typ | High-Side | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke MPS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 2.5A | ||
Pinanzahl 10 | ||
Gehäusegröße QFN-10 | ||
Abfallzeit 9ns | ||
Treiber-Typ High-Side | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 100-V-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber von MPS International Ltd ist ein Low-Side- und High-Side-Treiberkanal, der unabhängig gesteuert und mit einer Zeitverzögerung von weniger als 5 ns abgestimmt wird. Die Unterspannungsverriegelung sowohl auf der Hoch- als auch auf der Niederseite der Versorgung zwingt die Ausgänge im Falle einer unzureichenden Versorgung zu niedrig. Beide Ausgänge bleiben niedrig, bis eine steigende Kante an beiden Eingängen erkannt wird. Die integrierte Bootstrap-Diode reduziert die Anzahl der externen Komponenten.
100 V VBST-Spannungsbereich
On-Chip-Bootstrap-Diode
Typische Ausbreitungsverzögerungszeit von 20 ns