Microchip MOSFET High-Side 150 μA 4-Pin UDFN 9 V
- RS Best.-Nr.:
- 333-267
- Herst. Teile-Nr.:
- MIC5019YFT-TR
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 150μA | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gehäusegröße | UDFN | |
| Treiber-Typ | High-Side | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 9V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 150μA | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gehäusegröße UDFN | ||
Treiber-Typ High-Side | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 9V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET-Gate-Treiber von Microchip mit integrierter Ladungspumpe dient zum Schalten eines N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET-Steuersignals in High-Side- oder Low-Side-Anwendungen. Er arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 2,7 V bis 9 V und erzeugt Gate-Spannungen von 9,2 V aus einer 3-V-Versorgung und 16 V aus einer 9-V-Versorgung. Der Baustein verbraucht nur 77 μA an Versorgungsstrom und weniger als 1 μA an Versorgungsstrom im Shutdown-Modus.
4-poliges 1,2 x 1,2 mm dünnes QFN-Gehäuse
2.7 V bis 9 V Versorgungsspannungsbereich
Funktioniert in Low- und High-Side-Konfigurationen
Mehr als 1 μA Abschaltstrom
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