STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul High-Side 650 mA 2 8-Pin SO-8 17 V 30 ns

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RS Best.-Nr.:
152-012P
Herst. Teile-Nr.:
L6385ED013TR
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Ausgangsstrom

650mA

Pinanzahl

8

Abfallzeit

30ns

Gehäusegröße

SO-8

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

High-Side

Anstiegszeit

50ns

Minimale Versorgungsspannung

17V

Anzahl der Treiber

2

Maximale Versorgungsspannung

17V

Betriebstemperatur min.

-50°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Serie

L6385ED013TR

Montageart

Oberfläche

Ursprungsland:
CN
Der einfache und kompakte Hochspannungs-Gate-Treiber von STMicroelectronics, der mit der BCD-„Offline“-Technologie hergestellt wird und eine halbe Brücke von Leistungs-MOSFET- oder IGBT-Geräten antreiben kann. Der hochseitige (schwimmende) Abschnitt ist in der Lage, mit Spannungsschienen bis zu 600 V zu arbeiten. Beide Geräteausgänge können unabhängig voneinander 650 mA bzw. 400 mA senken und liefern und können gleichzeitig hoch angetrieben werden, um asymmetrische Halbbrückenkonfigurationen zu betreiben.

Unterspannungsverriegelung am unteren und oberen Antriebsabschnitt

Interne Bootstrap-Diode

Ausgänge in Phasen mit Eingängen