STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul High-Side 650 mA 2 8-Pin SO-8 17V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 152-011
- Herst. Teile-Nr.:
- L6385ED013TR
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
€ 2.040,00
(ohne MwSt.)
€ 2.447,50
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 05. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | € 0,816 | € 2.040,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 152-011
- Herst. Teile-Nr.:
- L6385ED013TR
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 650mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Treiber-Typ | High-Side | |
| Anstiegszeit | 50ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 17V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 17V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | L6385ED013TR | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 650mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Treiber-Typ High-Side | ||
Anstiegszeit 50ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 17V | ||
Maximale Versorgungsspannung 17V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie L6385ED013TR | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Montageart Oberfläche | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der einfache und kompakte Hochspannungs-Gate-Treiber von STMicroelectronics, der mit der BCD-„Offline-Technologie hergestellt wird und eine halbe Brücke von Leistungs-MOSFET- oder IGBT-Geräten antreiben kann. Der hochseitige (schwimmende) Abschnitt ist in der Lage, mit Spannungsschienen bis zu 600 V zu arbeiten. Beide Geräteausgänge können unabhängig voneinander 650 mA bzw. 400 mA senken und liefern und können gleichzeitig hoch angetrieben werden, um asymmetrische Halbbrückenkonfigurationen zu betreiben.
Unterspannungsverriegelung am unteren und oberen Antriebsabschnitt
Interne Bootstrap-Diode
Ausgänge in Phasen mit Eingängen
Verwandte Links
- STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul High-Side 650 mA 2 8-Pin SO-8 17V 30 ns
- STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul High-Side 650 mA 2 8-Pin SO-8 17V 40 ns
- STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul High-Side 10 mA 2 18-Pin QFN 20 V 11 ns
- STMicroelectronics MOSFET MOSFET 0.65 A 2 8-Pin SOIC 17V 30 ns
- STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber 68 mA 1 8-Pin SO-8W 26V 30 ns
- STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber 4 A 1 8-Pin SO-8 26V 30 ns
- STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul High-Side 90 A 1 10-Pin PowerSSO-24 58 V
- STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul High-Side 50 mA 1 40-Pin VFQFPN-40L 18 V
