Infineon FRAM 2 MB, 256K x 8 bit Seriell-SPI SOIC-8 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7316
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B102QN-50SXE
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7316
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B102QN-50SXE
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 2MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 256K x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 50MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.71V | |
| Anzahl der Wörter | 256K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 Klasse 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 2MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 256K x 8 bit | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 50MHz | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.71V | ||
Anzahl der Wörter 256K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 Klasse 1 | ||
Infineons FRAM ist ein nichtflüchtiger 2-MB-Speicher für die Automobilindustrie, der einen fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess verwendet. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 121 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-konform
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
AEC Q100 Grade 1 konform
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Softwareschutz durch Schreibsperrbefehl
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