Infineon FRAM 2 MB, 256K x 8 bit Seriell-SPI SOIC-8 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7316
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B102QN-50SXE
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stange mit 94 Stück)*
€ 987,00
(ohne MwSt.)
€ 1.184,40
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 29. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 94 + | € 10,50 | € 987,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7316
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B102QN-50SXE
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 2MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 256K x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 50MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Anzahl der Wörter | 256K | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 Klasse 1 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.71V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 2MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 256K x 8 bit | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 50MHz | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Anzahl der Wörter 256K | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Automobilstandard AEC-Q100 Klasse 1 | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.71V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Infineons FRAM ist ein nichtflüchtiger 2-MB-Speicher für die Automobilindustrie, der einen fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess verwendet. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 121 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-konform
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
AEC Q100 Grade 1 konform
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Softwareschutz durch Schreibsperrbefehl
Verwandte Links
- Infineon FRAM 2 MB, 256K x 8 bit Seriell-SPI SOIC-8 8-Pin
- Infineon FRAM 2 MB, 256K x 8 bit Seriell-SPI SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 2 MB, 256k x 8 Bit 9 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 2 MB, 256k x 8 Bit 16 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- Infineon FRAM 2 MB, 256k x 8 Bit 16 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin
- Infineon FRAM 2 MB, 256kB x 8 Bit 11 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin
- Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 bit Seriell-SPI SOIC-8 8-Pin
- Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 bit Seriell-SPI SOIC 8-Pin