Infineon FRAM 2 MB, 256k x 8 Bit 9 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
188-3437
Herst. Teile-Nr.:
CY15V102QN-50SXE
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

2MB

Organisation

256k x 8 Bit

Schnittstellentyp

SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

9ns

Montageart

Oberfläche

Taktfrequenz max.

50MHz

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Höhe

1.78mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.3 mm

Länge

5.3mm

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Automobilstandard

AEC-Q100

Anzahl der Bits pro Wort

8

Minimale Versorgungsspannung

1.71V

Maximale Versorgungsspannung

1.89V

Anzahl der Wörter

256K

Betriebstemperatur min.

-40°C

2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 256 K x 8

Praktisch unbegrenzte Lebensdauer von 10 Trillionen (1013) Lese-/Schreibzyklen

121 Jahre Datenspeicherung

NODELAY ® schreibt

Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess

Schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)

Bis zu 50 MHz Frequenz

Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)

Ausgeklügeltes Schreibschutzschema

Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)

Softwareschutz mit Schreibsperre (WRDI)

Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array

Geräte-ID und Seriennummer

Geräte-ID umfasst Hersteller-ID und Produkt-ID

Eindeutige ID

Seriennummer

Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM

Dedizierter spezieller Sektor zum Schreiben und Lesen

Der gespeicherte Inhalt kann bis zu 3 Standard-Reflow-Lötzyklen überstehen

Geringer Stromverbrauch

3,7 mA (typ.) Wirkstrom bei 40 MHz

2,7 μA (typ.) Standby-Strom

1,1 μA (typ.) Deep-Power-Down-Mode-Strom

0,1 μA (typ.) Hibernate Mode Strom

Niederspannungsbetrieb:

CY15V102QN: VDD = 1,71 V bis 1,89 V

CY15B102QN: VDD = 1,8 V bis 3,6 V

Fahrzeugbetriebstemperatur: -40 °C bis +125 °C.

AEC-Q100 Klasse 1-konform

8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)

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