Infineon FRAM 1 MB, 128K x 8 bit 18 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin

Alle FRAM anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*

€ 111,70

(ohne MwSt.)

€ 134,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Auf Lager
  • 314 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
10 - 24€ 11,17
25 - 99€ 10,88
100 - 499€ 10,60
500 +€ 10,33

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
124-2991P
Herst. Teile-Nr.:
FM25VN10-G
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

1MB

Organisation

128K x 8 bit

Schnittstellentyp

SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

18ns

Montageart

Oberfläche

Taktfrequenz max.

40MHz

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Höhe

1.47mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

4.97mm

Breite

3.98 mm

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Automobilstandard

AEC-Q100

Betriebstemperatur min.

-40°C

Anzahl der Bits pro Wort

8

Anzahl der Wörter

128k

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Minimale Versorgungsspannung

2V

Ursprungsland:
US

FRAM, Cypress-Halbleiter


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher

Hohe Schreibgeschwindigkeit

Lange Lebensdauer

Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

Verwandte Links

Recently viewed