Infineon FRAM 1 MB, 128K x 8 bit 450 ns 2-adriger I2C Oberfläche SOIC 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
125-4215P
Herst. Teile-Nr.:
FM24V10-G
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

1MB

Organisation

128K x 8 bit

Schnittstellentyp

2-adriger I2C

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

450ns

Montageart

Oberfläche

Taktfrequenz max.

3.4MHz

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.38mm

Länge

4.97mm

Breite

3.98 mm

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Anzahl der Wörter

128k

Anzahl der Bits pro Wort

8

Automobilstandard

AEC-Q100

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Minimale Versorgungsspannung

2V

FRAM, Cypress-Halbleiter


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher

Hohe Schreibgeschwindigkeit

Lange Lebensdauer

Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

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