Infineon FRAM 4 MB, 512 k x 8 Bit 16 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
124-2933
Herst. Teile-Nr.:
CY15B104Q-SXI
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

4MB

Produkt Typ

FRAM

Organisation

512 k x 8 Bit

Schnittstellentyp

SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

16ns

Montageart

Oberfläche

Taktfrequenz max.

40MHz

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Höhe

1.78mm

Breite

5.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.3mm

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Automobilstandard

Nein

Anzahl der Wörter

512K

Anzahl der Bits pro Wort

8

Minimale Versorgungsspannung

2V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

FRAM, Cypress-Halbleiter


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher

Hohe Schreibgeschwindigkeit

Lange Lebensdauer

Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

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