ams OSRAM SFH Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 912-8564
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 213 FA
- Hersteller:
- ams OSRAM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Beutel mit 1000 Stück)*
€ 240,00
(ohne MwSt.)
€ 290,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 12 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
|---|---|---|
| 1000 - 2000 | € 0,24 | € 240,00 |
| 3000 + | € 0,237 | € 237,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 912-8564
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 213 FA
- Hersteller:
- ams OSRAM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Erkennbare Spektren | IR | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 900nm | |
| Gehäusetyp | T1.3/4 | |
| Montage Typ | THT | |
| Verstärkerfunktion | Nein | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 750nm | |
| Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 0.005µs | |
| Länge | 5.9mm | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe über Panel | 9mm | |
| Spitzenphotosensibilität | 0.65A/W | |
| Serie | SFH | |
| Polarität | Positiv | |
| Regelanstiegszeit | 0.005µs | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Erkennbare Spektren IR | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 900nm | ||
Gehäusetyp T1.3/4 | ||
Montage Typ THT | ||
Verstärkerfunktion Nein | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 750nm | ||
Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 0.005µs | ||
Länge 5.9mm | ||
Breite 5mm | ||
Höhe über Panel 9mm | ||
Spitzenphotosensibilität 0.65A/W | ||
Serie SFH | ||
Polarität Positiv | ||
Regelanstiegszeit 0.005µs | ||
PIN-Fotodiode – Gehäuse T-1 3/4 (5 mm)
Diese Serie von PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors ist in durchkontaktierten Standardgehäusen im Format T-1 3/4 (5 mm) untergebracht. Sie haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 1 x 1 mm². Die Fotodioden im T-1 3/4-Gehäuse bieten eine kurze Schaltzeit. Sie eignen sich für Anwendungen wie Hochgeschwindigkeits-Fotounterbrecher, industrielle Elektronik und Steuerung sowie Antriebsstromkreise.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
Verwandte Links
- ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM SFH Fotodiode IR 900nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM SFH Fotodiode IR 900nm Si, THT 2-Pin
- ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 2-Pin
- ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, SMD SMR-Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM SFH Fotodiode IR THT 5mm Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, SMD DIP-Gehäuse 3-Pin
