ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin

RS Best.-Nr.:: 654-8895
Herst. Teile-Nr.:: SFH 213 FA
Hersteller:: ams OSRAM

ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin

130 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.

1420 weitere lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.

Im Warenkorb

Preis pro 1 Stück (in Packung zu 5)

€ 0,702

(ohne MwSt.)

€ 0,842

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 5	€ 0,702	€ 3,51
10 - 45	€ 0,566	€ 2,83
50 - 245	€ 0,438	€ 2,19
250 - 495	€ 0,352	€ 1,76
500 +	€ 0,298	€ 1,49
*Bitte VPE beachten

Verpackungsoptionen:

Standardverpackung

Produktionsverpackung

RS Best.-Nr.:: 654-8895
Herst. Teile-Nr.:: SFH 213 FA
Hersteller:: ams OSRAM

Datenblätter und Anleitungen

Schematic Symbol & PCB Footprint

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

PIN-Fotodiode – Gehäuse T-1 3/4 (5 mm)

Diese Serie von PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors ist in durchkontaktierten Standardgehäusen im Format T-1 3/4 (5 mm) untergebracht. Sie haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 1 x 1 mm². Die Fotodioden im T-1 3/4-Gehäuse bieten eine kurze Schaltzeit. Sie eignen sich für Anwendungen wie Hochgeschwindigkeits-Fotounterbrecher, industrielle Elektronik und Steuerung sowie Antriebsstromkreise.

IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit	900nm
Gehäusetyp	T1.3/4
Montage Typ	THT
Verstärkerfunktion	Nein
Anzahl der Pins	2
Diodenmaterial	Si
Wellenlänge min.	750nm
Wellenlänge max.	1100nm
Länge	5.9mm
Breite	5mm
Höhe über Panel	9mm
Spitzenphotosensibilität	0.65A/W
Polarität	Positiv