STMicroelectronics 256 kB EEPROM, Seriell-I2C Interface, UFDFPN, 450 ns Oberfläche 32K x 8 Bit, 32k x 8-Pin 8

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

€ 1.615,00

(ohne MwSt.)

€ 1.940,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +€ 0,323€ 1.615,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
190-6758
Herst. Teile-Nr.:
M24256-BFMC6TG
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Speicher Größe

256kB

Produkt Typ

EEPROM

Schnittstellentyp

Seriell-I2C

Gehäusegröße

UFDFPN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Taktfrequenz max.

1MHz

Organisation

32K x 8 Bit

Minimale Versorgungsspannung

1.7V

Maximale Versorgungsspannung

5.5V

Anzahl der Bits pro Wort

8

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Normen/Zulassungen

RoHS 2011/65/EU

Breite

3 mm

Höhe

0.6mm

Länge

2.1mm

Serie

M24256

Distrelec Product Id

30397143

Datenspeicherung

200year

Zugriffszeit max.

450ns

Versorgungsstrom

2.5mA

Anzahl der Wörter

32k

Automobilstandard

AEC-Q100

Der M24256-BW kann mit einer Versorgungsspannung von 2,5 V bis 5,5 V betrieben werden, der M24256-BR und der M24256-DR können mit einer Versorgungsspannung von 1,8 V bis 5,5 V betrieben werden, und die M24256-BF und M24256-DF können mit einer Versorgungsspannung von 1,7 V bis 5,5 V betrieben werden Alle diese Geräte arbeiten mit einer Taktfrequenz von 1 MHz (oder weniger) über einen Umgebungstemperaturbereich von -40 °C / +85 °C.

Kompatibel mit allen I2C-Busmodi:

1 MHz

400 kHz

100 kHz

Speicherarray:

256 Kbit (32 KByte) EEPROM

Seitengröße: 64 Byte

Zusätzliche abschließbare Schreibseite

Einfache Versorgungsspannung und hohe Geschwindigkeit:

1-MHz-Takt von 1,7 V bis 5,5 V.

Schreiben:

Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms

Schreiben von Seiten innerhalb von 5 ms

Betriebstemperatur:

Von -40 °C bis +85 °C.

Zufällige und sequenzielle Lesemodi

Schreibschutz des gesamten Speicherarrays

Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz

Mehr als 4 Million Schreibzyklen

Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung

Gehäuse

SO8

TSSOP8

UFDFPN8

WLCSP

Unsawn Wafer (jede Matrize wird getestet)

Verwandte Links