STMicroelectronics 128 kB EEPROM, Seriell-I2C Interface, UFDFPN, 450 ns Oberfläche 16k x 8 Bit 8-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 190-6757
- Herst. Teile-Nr.:
- M24128-BFMC6TG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Speicher Größe | 128kB | |
| Schnittstellentyp | Seriell-I2C | |
| Gehäusegröße | UFDFPN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 16k x 8 Bit | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 1.8mm | |
| Breite | 1.5 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Datenspeicherung | 200year | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Versorgungsstrom | 2.5mA | |
| Zugriffszeit max. | 450ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Speicher Größe 128kB | ||
Schnittstellentyp Seriell-I2C | ||
Gehäusegröße UFDFPN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 16k x 8 Bit | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 1.8mm | ||
Breite 1.5 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Datenspeicherung 200year | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Versorgungsstrom 2.5mA | ||
Zugriffszeit max. 450ns | ||
Der M24128 ist ein 128-Kbit-I2C-kompatibler EEPROM (Electrically Erasable Programmable Memory), der als 16 K x 8 Bit organisiert ist. Der M24128-BW kann mit einer Versorgungsspannung von 2,5 V bis 5,5 V betrieben werden, der M24128-BR kann mit einer Versorgungsspannung betrieben werden
Kompatibel mit allen I2C-Busmodi:
1 MHz
400 kHz
100 kHz
Speicherarray:
128 Kbit (16 KByte) EEPROM
Seitengröße: 64 Byte
Zusätzliche abschließbare Schreibseite
Einfache Versorgungsspannung und hohe Geschwindigkeit:
1-MHz-Takt von 1,7 V bis 5,5 V.
Schreiben:
Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms
Schreiben von Seiten innerhalb von 5 ms
Betriebstemperatur:
Von -40 °C bis +85 °C.
Zufällige und sequenzielle Lesemodi
Schreibschutz des gesamten Speicherarrays
Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz
Mehr als 4 Million Schreibzyklen
Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung
Gehäuse
SO8
TSSOP8
UFDFPN8
WLCSP
UFDFPN5
Unsawn Wafer (jede Matrize wird getestet)
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