onsemi Darlington-Transistor 1 80 V 800 mA NPN HFE:10000, SOT-223 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 806-1340
- Herst. Teile-Nr.:
- PZTA28
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Darlington-Transistor | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 800mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 80V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 10000 | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 12V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 80V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | PTZA28 | |
| Länge | 6.5mm | |
| Kollektor-Sperrstrom max. | 500nA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Darlington-Transistor | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 800mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 80V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 10000 | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 12V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 80V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie PTZA28 | ||
Länge 6.5mm | ||
Kollektor-Sperrstrom max. 500nA | ||
Automobilstandard Nein | ||
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