onsemi Darlington-Transistor 1 30 V 1.2 A PnP HFE:10000, SOT-223 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 166-2821
- Herst. Teile-Nr.:
- PZTA64
- Hersteller:
- onsemi
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- 166-2821
- Herst. Teile-Nr.:
- PZTA64
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Darlington-Transistor | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 1.2A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 10000 | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | -30V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | -10V | |
| Polarität des Transistors | PnP | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | PZTA64 | |
| Kollektor-Sperrstrom max. | -100nA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Darlington-Transistor | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 1.2A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 30V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 10000 | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO -30V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO -10V | ||
Polarität des Transistors PnP | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie PZTA64 | ||
Kollektor-Sperrstrom max. -100nA | ||
Automobilstandard Nein | ||
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