onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:100, TO-220AB 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 774-3439
Herst. Teile-Nr.:: 2N6045G
Hersteller:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:100, TO-220AB 3-Pin Einfach

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RS Best.-Nr.:: 774-3439
Herst. Teile-Nr.:: 2N6045G
Hersteller:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	8 A
Kollektor-Emitter-Spannung	100 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	100
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	4,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	2 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	20µA
Länge	15.75mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	10.28mm
Abmessungen	15.75 x 10.28 x 4.82mm
Verlustleistung max.	75 W
Betriebstemperatur min.	-65 °C
Höhe	4.82mm

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