onsemi Darlington-Transistor 1 30 V 1.2 A PnP HFE:4000, SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 671-1122
- Herst. Teile-Nr.:
- BCV26
- Hersteller:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 671-1122
- Herst. Teile-Nr.:
- BCV26
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Darlington-Transistor | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 1.2A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 4000 | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 40V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 10V | |
| Polarität des Transistors | PnP | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Serie | BCV26 | |
| Höhe | 0.93mm | |
| Länge | 2.92mm | |
| Kollektor-Sperrstrom max. | 0.0001mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Darlington-Transistor | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 1.2A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 4000 | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 40V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 10V | ||
Polarität des Transistors PnP | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.3 mm | ||
Serie BCV26 | ||
Höhe 0.93mm | ||
Länge 2.92mm | ||
Kollektor-Sperrstrom max. 0.0001mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
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