onsemi Darlington-Transistor 2 30 V 300 mA NPN HFE:5000, SOT-23 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
178-7612
Herst. Teile-Nr.:
MMBTA13LT1G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Darlington-Transistor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

300mA

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

2

DC-Stromverstärkung min. hFE

5000

Betriebstemperatur min.

-55°C

Emitter-Basisspannung max. VEBO

10V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

30V

Maximale Verlustleistung Pd

300mW

Polarität des Transistors

NPN

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.01mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4 mm

Serie

MMBTA13LT1

Kollektor-Sperrstrom max.

100nA

Automobilstandard

AEC-Q101

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Standards

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

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