STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA HFE:1000 @ 350 mA @ 2 V, PDIP 18-Pin Single & Common Emitter

RS Best.-Nr.:: 168-8906
Herst. Teile-Nr.:: ULQ2803A
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA HFE:1000 @ 350 mA @ 2 V, PDIP 18-Pin Single & Common Emitter

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RS Best.-Nr.:: 168-8906
Herst. Teile-Nr.:: ULQ2803A
Hersteller:: STMicroelectronics

ULQ2801 - ULQ2802, ULQ2803 - ULQ2804, Eight Darlington Array
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	50 V
Basis-Emitter Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PDIP
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	18
Transistor-Konfiguration	Single & Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip	8
Gleichstromverstärkung min.	1000 @ 350 mA @ 2 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,6 V
Abmessungen	23.24 x 7.1 x 3.67mm
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Verlustleistung max.	2,25 W
Breite	7.1mm
Länge	23.24mm
Höhe	3.67mm
Basisstrom	25mA

STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA HFE:1000 @ 350 mA @ 2 V, PDIP 18-Pin Single & Common Emitter

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Darlington-Transistorarrays, STMicroelectronics

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