onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 4 A HFE:100, TO-225AA 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 145-3891
Herst. Teile-Nr.:: 2N6039G
Hersteller:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 4 A HFE:100, TO-225AA 3-Pin Einfach

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RS Best.-Nr.:: 145-3891
Herst. Teile-Nr.:: 2N6039G
Hersteller:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	4 A
Kollektor-Emitter-Spannung	80 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	TO-225AA
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	100
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	4 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	3 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	100µA
Verlustleistung max.	40 W
Breite	7.74mm
Höhe	2.66mm
Länge	11.04mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–65 °C
Abmessungen	11.04 x 7.74 x 2.66mm

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