onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 2 A PnP HFE:1000, TO-252 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
145-3571
Herst. Teile-Nr.:
MJD117G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Darlington-Transistor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

2A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

100V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

1

DC-Stromverstärkung min. hFE

1000

Emitter-Basisspannung max. VEBO

5V

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

100V

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Polarität des Transistors

PnP

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Serie

MJD112

Höhe

2.38mm

Normen/Zulassungen

No

Kollektor-Sperrstrom max.

20μA

Automobilstandard

AEC-Q101

PNP-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Standards

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

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