onsemi Darlington-Transistor 2 30 V 300 mA NPN HFE:5000, SOT-23 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
145-3358
Herst. Teile-Nr.:
MMBTA14LT1G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Darlington-Transistor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

300mA

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

2

DC-Stromverstärkung min. hFE

5000

Maximale Verlustleistung Pd

300mW

Polarität des Transistors

NPN

Emitter-Basisspannung max. VEBO

10V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

30V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4 mm

Höhe

1.01mm

Länge

3.04mm

Serie

MMBTA13LT1

Kollektor-Sperrstrom max.

100nA

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

NPN Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Standards

Hersteller-Teilenummern mit dem Präfix S oder NSV sind gemäß AEC-Q101-Standard qualifiziert.

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