onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 8 A NPN HFE:100, TO-252 3-Pin

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)*

€ 44,175

(ohne MwSt.)

€ 53,025

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 225 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
75 - 300€ 0,589€ 44,18
375 - 1425€ 0,574€ 43,05
1500 - 3675€ 0,559€ 41,93
3750 +€ 0,545€ 40,88

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
103-5056
Herst. Teile-Nr.:
MJD122G
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

Darlington-Transistor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

8A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

100V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

1

DC-Stromverstärkung min. hFE

100

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

100V

Emitter-Basisspannung max. VEBO

5V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Polarität des Transistors

NPN

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22 mm

Höhe

2.38mm

Länge

6.73mm

Serie

MJD122

Normen/Zulassungen

No

Kollektor-Sperrstrom max.

0.01mA

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CZ

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Standards

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

Verwandte Links