onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 8 A PnP HFE:100, TO-252 3-Pin

Diese Kategorie anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

€ 22,28

(ohne MwSt.)

€ 26,74

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 60 Einheit(en) mit Versand ab 11. Mai 2026
  • Zusätzlich 140 Einheit(en) mit Versand ab 18. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 +€ 1,114€ 22,28

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
463-252
Herst. Teile-Nr.:
MJD127G
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

Darlington-Transistor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

8A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

100V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

1

DC-Stromverstärkung min. hFE

100

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

100V

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Emitter-Basisspannung max. VEBO

5V

Polarität des Transistors

PnP

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Serie

MJD122

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.38mm

Kollektor-Sperrstrom max.

0.01mA

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

PNP Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Standards

Hersteller-Teilenummern mit dem Präfix S oder NSV sind gemäß AEC-Q101-Standard qualifiziert.

Verwandte Links