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Diskrete Halbleiter
Bipolare Transistoren
Renesas Electronics HFA3101BZ SMD, NPN Transistor Hex 8 V / 30 mA 10000 MHz, SOIC 8-Pin
RS Best.-Nr.:
704-4606
Herst. Teile-Nr.:
HFA3101BZ
Hersteller:
Renesas Electronics
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Nicht mehr im Sortiment
RS Best.-Nr.:
704-4606
Herst. Teile-Nr.:
HFA3101BZ
Hersteller:
Renesas Electronics
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datasheet
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Konformitätserklärung
Gilbertzellen-UHF-Transistorarrays, Intersil
Bipolare Transistoren, Intersil
Eigenschaft
Wert
Transistor-Typ
NPN
DC Kollektorstrom max.
30 mA
Kollektor-Emitter-Spannung
8 V
Gehäusegröße
SOIC
Montage-Typ
SMD
Transistor-Konfiguration
Komplex
Kollektor-Basis-Spannung max.
12 V
Basis-Emitter Spannung max.
5.5 V
Arbeitsfrequenz max.
10000 MHz
Pinanzahl
8
Anzahl der Elemente pro Chip
6
Abmessungen
1.5 x 5 x 4mm
Betriebstemperatur max.
+85 °C