STMicroelectronics SCR Thyristoren 500 mA SOT-23-3L 600 V, Gate-Trigger 150 μA 7.6 A
- RS Best.-Nr.:
- 249-6680P
- Herst. Teile-Nr.:
- X0115ML
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Thyristoren | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 500mA | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | SOT-23-3L | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 600V | |
| Spitzenstrom | 7.6A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 150μA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 5mA | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 800mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | X0115ML | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Thyristoren | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 500mA | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße SOT-23-3L | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 600V | ||
Spitzenstrom 7.6A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 150μA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximaler Haltestrom Ih 5mA | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 800mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie X0115ML | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Thyristor von STMicroelectronics bietet eine hohe Sperrspannung von 600 V und eine Spitzenstoßspannung von 750 V und ist damit ideal für Anwendungen wie Fehlerstromschutzschalter (GFCI) und Störlichtbogenunterbrecher (AFCI). Dieser Thyristor ist für alle Anwendungen geeignet, bei denen der verfügbare Gatestrom begrenzt ist. Das Gehäuse bietet die kleinste SCR-Fläche bei einer Kriechstrecke von 1,1 mm und garantiert eine funktionale Isolierung von 120 V (UL-840) bei einem Verschmutzungsgrad von Stufe 2 ohne zusätzliche Zertifizierung.
Effektivstrom im eingeschalteten Zustand, 0,8 A empfindlich
Enger empfindlicher Gate-Strombereich [30 bis 150] μA
Kompaktes SOT23-3L-Gehäuse - Kriechstrecke von 1,1 mm bis 9 mm² Grundfläche