Littelfuse SCR Thyristoren 2 A COMPAK 600 V, Gate-Trigger 200 μA 25 A 600 V
- RS Best.-Nr.:
- 229-1440
- Herst. Teile-Nr.:
- S6002CSRP
- Hersteller:
- Littelfuse
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 0,353 | € 8,83 |
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| 100 - 225 | € 0,263 | € 6,58 |
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- 229-1440
- Herst. Teile-Nr.:
- S6002CSRP
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- Littelfuse
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Littelfuse | |
| Produkt Typ | Thyristoren | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 2A | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | COMPAK | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 600V | |
| Spitzenstrom | 25A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 200μA | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 800mV | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 5mA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 600V | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 500μA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Littelfuse | ||
Produkt Typ Thyristoren | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 2A | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße COMPAK | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 600V | ||
Spitzenstrom 25A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 200μA | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 800mV | ||
Maximaler Haltestrom Ih 5mA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Spitzen-Durchlassspannung 600V | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 500μA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Littlefuse S6002CSRP bietet eine hohe di/dt-Fähigkeit durch die Konstruktion mit kleinen Matrizen. Sie ist glaspassiviert, um eine langfristige Zuverlässigkeit und parametrische Stabilität zu gewährleisten. Dies wurde speziell für Kondensatorentladungsanwendungen wie z. B. die Zündung von Gasflammen mit hoher Leistung entwickelt.
Stoßspannungsfestigkeit > : 25 A.
Blockierspannung (VDRM/VRRM) möglich - bis zu 600 V
Hohe di/dt-Fähigkeit von 500 A/μs
Verbesserte Ausschaltzeit (tq) < 55 μs
Empfindliches Gate für direkte Mikroprozessor-Schnittstelle
Durchkontaktierte und SMD-Gehäuse
RoHS-konform und halogenfrei
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