WeEn Semiconductors Co., Ltd SCR Thyristoren 500 mA SPT 600 V, Gate-Trigger 200 μA 9 A 1.7 V

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RS Best.-Nr.:
166-0389
Herst. Teile-Nr.:
BT169G,112
Hersteller:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
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Marke

WeEn Semiconductors Co., Ltd

Produkt Typ

Thyristoren

Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms

500mA

Thyristor-Typ

SCR

Gehäusegröße

SPT

Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM

600V

Spitzenstrom

9A

Montageart

Durchsteckmontage

Gate-Trigger-Strom max. Igt

200μA

Pinanzahl

3

Gate-Trigger-Spannung max. Vgt

800mV

Maximaler Haltestrom Ih

5mA

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

BT169G

Automobilstandard

Nein

Spitzen Off-State Strom periodisch

100μA

Spitzen-Durchlassspannung

1.7V

Phasenanschnitt-Thyristoren, WeEn Semiconductors


Thyristoren – WeEn Semiconductors;Ein Thyristor ist ein Festkörper-Halbleitergerät mit vier Schichten aus abwechselnd N- und P-leitendem Material. Er fungiert als bistabiler Schalter, der leitet, wenn sein Gate einen Stromimpuls erhält, und der weiterleitet, wenn in der Durchlassrichtung eine Vorspannung anliegt. Thyristoren sind ein Synonym für siliziumgesteuerte Gleichrichter (SCR).;Planarer, passivierter, siliziumgesteuerter Gleichrichter (SCR) in einem SOT78-Kunststoffgehäuse für Anwendungen, die eine hohe Sperrspannungsfähigkeit in beiden Richtungen, eine hohe Stoßstromfähigkeit und eine hohe Temperaturwechselfestigkeit erfordern.

Hauptmerkmale


  • Hohe beidseitige Sperrspannungsfähigkeit
  • ;
  • Hohe Starkstromfähigkeit
  • ;
  • Hohe Temperaturwechselbeständigkeit

  • Thyristoren - zwischen Halbleitern


    Ein Thyristor ist ein Halbleitergerät mit vier Schichten aus abwechselndem n- und p-Material. Er verhält sich wie ein bistabiler Schalter, ist leitend, wenn sein Gate einen Stromstoß empfängt, und leitet weiterhin, solange eine Vorspannung anliegt. Thyristoren sind gleichbedeutend mit gesteuerten Silizium-Gleichrichtern (Silicon-Controlled Rectifier; SCR).

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