STMicroelectronics Diode SCR 4 A SMB 650 V 400 A
- RS Best.-Nr.:
- 609-139
- Herst. Teile-Nr.:
- STPSC4G065UFY
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 4A | |
| Produkt Typ | SCR | |
| Thyristor-Typ | Diode | |
| Gehäusegröße | SMB | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 650V | |
| Spitzenstrom | 400A | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | STPSC4G065UFY | |
| Normen/Zulassungen | UL94 V0, ECOPACK2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 4A | ||
Produkt Typ SCR | ||
Thyristor-Typ Diode | ||
Gehäusegröße SMB | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 650V | ||
Spitzenstrom 400A | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie STPSC4G065UFY | ||
Normen/Zulassungen UL94 V0, ECOPACK2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MA
Die STMicroelectronics Automotive 650 V 4A Power Schottky High Surge Siliziumkarbid-Diode ist ein Ultra-Hochleistungs-Schottky-Gleichrichter. Es wird aus einem Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Material mit breiter Bandlücke ermöglicht die Entwicklung einer Schottky-Diodenstruktur mit niedriger VF und einer Nennspannung von 650 V. Dank der Schottky-Konstruktion kommt es beim Ausschalten zu keiner Erholung, und die Klingelmuster sind vernachlässigbar. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist unabhängig von der Temperatur.
AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig
Keine oder vernachlässigbare Rückspeisegebühr im Anwendungsstrombereich
Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur
Hohe Vorwärtsstoßfähigkeit
ECOPACK2 konforme Komponente
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