STMicroelectronics Diode SCR 4 A SMB 650 V 400 A
- RS Best.-Nr.:
- 609-136
- Herst. Teile-Nr.:
- STPSC4G065UF
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 609-136
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- STPSC4G065UF
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | SCR | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 4A | |
| Thyristor-Typ | Diode | |
| Gehäusegröße | SMB | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 650V | |
| Spitzenstrom | 400A | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | UL94 V0, ECOPACK2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ SCR | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 4A | ||
Thyristor-Typ Diode | ||
Gehäusegröße SMB | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 650V | ||
Spitzenstrom 400A | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen UL94 V0, ECOPACK2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MA
Die STMicroelectronics 650V 4A Power Schottky High Surge Siliziumkarbid-Diode ist ein Ultra-Hochleistungs-Schottky-Gleichrichter. Es wird aus einem Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Material mit breiter Bandlücke ermöglicht die Entwicklung einer Schottky-Diodenstruktur mit niedriger VF und einer Nennspannung von 650 V. Dank der Schottky-Konstruktion kommt es beim Ausschalten zu keiner Erholung, und die Klingelmuster sind vernachlässigbar. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist unabhängig von der Temperatur.
Keine oder vernachlässigbare Rückspeisegebühr im Anwendungsstrombereich
Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur
Hohe Vorwärtsstoßfähigkeit
ECOPACK2 konforme Komponente