Taiwan Semiconductor 1 Transimpedanz-Verstärker Bidirektional Einfach 600 W 83.3 V min., 2-Pin, Oberfläche 75 V max
- RS Best.-Nr.:
- 166-3121
- Herst. Teile-Nr.:
- SMBJ75CA
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 166-3121
- Herst. Teile-Nr.:
- SMBJ75CA
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- Taiwan Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Direction Typ | Bidirektional | |
| Produkt Typ | Transimpedanz-Verstärker | |
| Durchbruchsspannung min. Vbr | 83.3V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | DO-214AA (SMB) | |
| Maximale Sperrspannung Vwm | 75V | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Höchstzulässige Pulsverlustleistung Pppm | 600W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Impulsspitzenstrom max. Ippm | 5A | |
| Klemmenspannung | 121V | |
| Prüfstrom It | 1mA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 4.75mm | |
| Breite | 3.95mm | |
| Serie | SMBJ | |
| Höhe | 2.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Sperrstrom max. | 5μA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Direction Typ Bidirektional | ||
Produkt Typ Transimpedanz-Verstärker | ||
Durchbruchsspannung min. Vbr 83.3V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße DO-214AA (SMB) | ||
Maximale Sperrspannung Vwm 75V | ||
Pinanzahl 2 | ||
Höchstzulässige Pulsverlustleistung Pppm 600W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Impulsspitzenstrom max. Ippm 5A | ||
Klemmenspannung 121V | ||
Prüfstrom It 1mA | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 4.75mm | ||
Breite 3.95mm | ||
Serie SMBJ | ||
Höhe 2.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Sperrstrom max. 5μA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Überspannungsableiter, SMD, bidirektional, 600 W, Serie SMBJ, Fairchild Semiconductor
Glaspassivierte Sperrschicht
Max. Spitzenimpulsbelastbarkeit: 600 W
Ausgezeichnete Klemmwirkung
Geringe inkrementelle Stoßstrombeständigkeit
Kurze Ansprechzeit
UL-Zertifikat Nr. E258596
Entflammbarkeitsklasse UL94V-0