Maxim Integrated, 6V SRAM-Steuereinheit, Schreibschutz-Steuerung, 10ns SMD, SO, 8-Pin 5 x 4 x 1.5mm

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RS Best.-Nr.:
190-6691
Herst. Teile-Nr.:
DS1312S-2+
Hersteller:
Maxim Integrated
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Marke

Maxim Integrated

Backup Zellenspannung max.

6V

Schreibschutz-Steuerung

Ja

Signalverzögerungszeit max.

10ns

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SO

Pinanzahl

8

Abmessungen

5 x 4 x 1.5mm

Länge

5mm

Breite

4mm

Höhe

1.5mm

Arbeitsspannnung max.

5,5 V

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Arbeitsspannnung min.

4,5 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Wandelt CMOS-SRAM in nichtflüchtigen Speicher um
Der SRAM wird ohne Einschränkungen beschrieben, wenn VCC außerhalb der Toleranz liegt
Schaltet automatisch auf Batteriepuffer-Versorgung um, wenn ein VCC-Stromausfall auftritt
Überwacht die Spannung einer Lithiumzelle und warnt Advanced vor drohendem Batterieausfall
Signalisiert niedrigen Batteriezustand bei aktivem Batterie-Warnsignal
Optionale 5 %- oder 10 %-Stromausfallerkennung
Platzsparende 8-polige DIP- und SOIC-Gehäuse
Optionale 16-polige SOIC- und 20-polige TSSOP-Versionen setzen den Prozessor zurück, wenn ein Stromausfall auftritt, und halten den Prozessor während des Systemstarts im Reset
Industrieller Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C.

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