Winbond Mobiler LPDDR SDRAM 512 MB 64M x 8 Bit Oberfläche 8 Bits/Wort 32 bit 5 ns VFBGA 90-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-2577
- Herst. Teile-Nr.:
- W949D2DBJX5I
- Hersteller:
- Winbond
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- 188-2577
- Herst. Teile-Nr.:
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- Hersteller:
- Winbond
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | |
| Speicher Größe | 512MB | |
| Produkt Typ | Mobiler LPDDR SDRAM | |
| Organisation | 64M x 8 Bit | |
| Datenbus-Breite | 32bit | |
| Adressbusbreite | 15bit | |
| Taktfrequenz max. | 200MHz | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 5ns | |
| Anzahl der Wörter | 64M | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | VFBGA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Pinanzahl | 90 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Serie | W949D2DB | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Höhe | 0.65mm | |
| Normen/Zulassungen | LVCMOS Compatible | |
| Länge | 13.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 1.95V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Winbond | ||
Speicher Größe 512MB | ||
Produkt Typ Mobiler LPDDR SDRAM | ||
Organisation 64M x 8 Bit | ||
Datenbus-Breite 32bit | ||
Adressbusbreite 15bit | ||
Taktfrequenz max. 200MHz | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 5ns | ||
Anzahl der Wörter 64M | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße VFBGA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Pinanzahl 90 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Serie W949D2DB | ||
Breite 8.1 mm | ||
Höhe 0.65mm | ||
Normen/Zulassungen LVCMOS Compatible | ||
Länge 13.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 1.95V | ||
VDD = 1,7 ∼ 1,95 V
VDDQ = 1,7-1,95 V
Datenbreite: X16 / x32
Taktrate: 200 MHz (-5), 166 MHz (-6)
Refresh-Modus serienmäßig
Teil-Array-Selbstaktualisierung (PASR)
Automatische temperaturkompensierte Selbstaktualisierung (ATCSR)
Abschaltmodus
Deep-Power-Down-Modus (DPD-Modus)
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Datenmaske (DM) zum Schreiben von Daten
Taktstoppfunktion während Leerlaufzeiten
Automatische Vorladeoption für jeden Burst-Zugriff
Doppelte Datenrate für Datenausgabe
Differenzielle Takteingänge (CK und CK)
Bidirektional, Datenstrobe (DQS)
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 2, 4, 8 und 16
Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
8 K Aktualisierungszyklen/64 ms
Schnittstelle: LVCMOS-kompatibel
Supportpaket:
60 Kugeln VFBGA (x16)
90 Kugeln VFBGA (x32)
Betriebstemperaturbereich
Erweitert: -25 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
Industrie: -40 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
Dies ist ein 512 MB DDR SDRAM mit geringer Leistungsaufnahme, organisiert als 2 M Wörter x 4 Bänke x 32 Bit.
Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
Refresh-Modus serienmäßig
PASR, ATCSR, Abschaltmodus, DPD
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Bidirektional, die Datenvalidierung (DQS) wird mit Daten gesendet bzw. empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen
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