Winbond SDRAM 256 MB 32M x 8 Bit Oberfläche 8 Bits/Wort 16 bit 55 ns TSOP 66-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-2575
- Herst. Teile-Nr.:
- W9425G6KH-5I
- Hersteller:
- Winbond
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- RS Best.-Nr.:
- 188-2575
- Herst. Teile-Nr.:
- W9425G6KH-5I
- Hersteller:
- Winbond
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Speicher Größe | 256MB | |
| Organisation | 32M x 8 Bit | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Adressbusbreite | 15bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 55ns | |
| Anzahl der Wörter | 32M | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 66 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 22.35mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 10.29 mm | |
| Serie | W9425G6KH | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.3V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Maximale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Winbond | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Speicher Größe 256MB | ||
Organisation 32M x 8 Bit | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Adressbusbreite 15bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 55ns | ||
Anzahl der Wörter 32M | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 66 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 22.35mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 10.29 mm | ||
Serie W9425G6KH | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.3V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Maximale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Der W9425G6KH ist ein 256 MB DDR SDRAM mit einer Geschwindigkeit von -4/-5/-5I/-5A.
Bis zu 250 MHz Taktfrequenz
Architektur mit doppelter Datenrate, zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK)
DQS ist kantenbündig mit Daten für Lesen, mittig ausgerichtet mit Daten für Schreiben
CAS-Latenz: 2, 2,5 und 3
Burst-Länge: 2, 4 und 8
Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung
Datenmaske schreiben
Schreiblatenz = 1
7,8 μS Aktualisierungsintervall (8K/64 ms Aktualisierung)
Maximaler Burst-Aktualisierungszyklus: 8
Schnittstelle: SSTL_2
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