Intelligent Memory SDRAM 128 MB 8M x 16 Oberfläche 16 Bits/Wort 16 bit 5 ns FBGA 54-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 588-658
- Herst. Teile-Nr.:
- IM1216SDBATG-6I
- Hersteller:
- Intelligent Memory
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Intelligent Memory | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Speicher Größe | 128MB | |
| Organisation | 8M x 16 | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Adressbusbreite | 12bit | |
| Taktfrequenz max. | 200MHz | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 5ns | |
| Anzahl der Wörter | 8388608 Words | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | FBGA | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Breite | 8 mm | |
| Länge | 20mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q100, RoHS | |
| Serie | IM1216SDBA | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Versorgungsstrom | 75mA | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Intelligent Memory | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Speicher Größe 128MB | ||
Organisation 8M x 16 | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Adressbusbreite 12bit | ||
Taktfrequenz max. 200MHz | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 5ns | ||
Anzahl der Wörter 8388608 Words | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße FBGA | ||
Pinanzahl 54 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Höhe 1.2mm | ||
Breite 8 mm | ||
Länge 20mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q100, RoHS | ||
Serie IM1216SDBA | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Versorgungsstrom 75mA | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Intelligent Memory Four bank Synchronous DRAM ist als 4 Bänke x 2 Mbit x 16 organisiert. Er erreicht Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungsraten von bis zu 200 MHz durch den Einsatz einer Chip-Architektur, die mehrere Bits vorabruft und dann die Ausgangsdaten mit einem Systemtakt synchronisiert.
Mehrfaches Burst-Lesen mit Einzelschreibvorgang
Automatisches und gesteuertes Precharge-Kommando
Abschaltmodus
Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
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