STMicroelectronics THT Schottky Diode , 40V / 1A, 2-Pin DO-41
- RS Best.-Nr.:
- 920-9085
- Herst. Teile-Nr.:
- 1N5819
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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| Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
| 2000 - 2000 | € 0,08 | € 160,00 |
| 4000 - 6000 | € 0,078 | € 156,00 |
| 8000 - 18000 | € 0,076 | € 152,00 |
| 20000 + | € 0,074 | € 148,00 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 920-9085
- Herst. Teile-Nr.:
- 1N5819
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Schottky-Leistungsgleichrichter 1N5817/8/9 von STMicroelectronics mit niedrigem Spannungsabfall
1N5817, 1N5818 und 1N5819 von Vishay sind eine Familie von 1-A-Schottky-Gleichrichterdioden mit niedrigem Spannungsabfall. Sie wurden für Schaltnetzteile und Hochfrequenz-DC-DC-Wandler entwickelt.
Leistungsmerkmale:
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung
Geringer Leitungsverlust
Sehr geringer Schaltverlust
Wo werden sie verwendet?
1N5817–1N5819 sind für Niederspannungs-Hochfrequenz-Wechselrichter, Freilauf, Verpolschutz und kleine Ladegeräte konzipiert.
Wie lautet die Betriebstemperatur am Übergang?
–65 °C bis +150 °C
Lieferbare Versionen:
1N5817 – 20 V
1N5818 – 30 V
1N5819 – 40 V
Leistungsmerkmale:
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung
Geringer Leitungsverlust
Sehr geringer Schaltverlust
Wo werden sie verwendet?
1N5817–1N5819 sind für Niederspannungs-Hochfrequenz-Wechselrichter, Freilauf, Verpolschutz und kleine Ladegeräte konzipiert.
Wie lautet die Betriebstemperatur am Übergang?
–65 °C bis +150 °C
Lieferbare Versionen:
1N5817 – 20 V
1N5818 – 30 V
1N5819 – 40 V
Dioden und -Gleichrichter, STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
| Eigenschaft | Wert |
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | DO-41 |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 1A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 40V |
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | Schottky |
| Pinanzahl | 2 |
| Maximaler Spannungsabfall | 900mV |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | Schottky |
| Durchmesser | 2.72mm |
| Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 25A |