Infineon SMD SiC-Schottky Diode, 1200V / 10A, 2-Pin TO-247

Die Infineon CoolSiC TM Schottky-Dioden der Generation 5 1200 V, 10 A sind jetzt in einem echten 2-poligen TO-247-Gehäuse für den einfachen Austausch bipolarer Si-Dioden erhältlich, die heute häufig verwendet werden. Die erweiterten Kriech- und Sicherheitsabstände von 8,7 mm im neuen Gehäuse bieten zusätzliche Sicherheit in Umgebungen mit hoher Verschmutzung. In Kombination mit einem Si-IGBT oder Super-junction-MOSFET, z. B. in einer Gleichrichterstufe in Wien oder einer PFC-Boost-Stufe, die in 3-phasigen Konvertierungssystemen verwendet wird, erhöht eine CoolSiC-Diode den Wirkungsgrad um bis zu 1 % im Vergleich zur nächstbesten Si-Diodenalternative.

Kein Rückgewinnungsstrom, keine Rückstellspannung
Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Niedrige Durchlassspannung selbst bei hoher Betriebstemperatur
Enge Durchlassspannungsverteilung
Toleriert hohe Stoßstromwerte
Echtes zweipoliges Gehäuse mit 8,7 mm Kriechstrecke und Sicherheitsabstand