Vishay Silizium-Verbindung Einfach 8 A 500 V Durchsteckmontage TO-220 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 812-2192
- Herst. Teile-Nr.:
- FES8HT-E3/45
- Hersteller:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 812-2192
- Herst. Teile-Nr.:
- FES8HT-E3/45
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 8A | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 125A | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 500V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 50ns | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15.32mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom If 8A | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Pinanzahl 2 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 125A | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 500V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 50ns | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15.32mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Gleichrichter, ultraschnell, 6 A bis 12 A, Vishay Semiconductor
Die ultraschnellen Wiederherstellungsgleichrichter von Vishay haben sehr schnelle umgekehrte Wiederherstellungszeiten von nur 15 ns und Spannungspegel von bis zu 1500 V. Typische Anwendungen umfassen sehr hochfrequente Schaltnetzteile (SMPS), Wechselrichter und Freilaufdioden.
Dioden und Gleichrichter, Vishay Semiconductor
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