Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 3 A 200 V Oberfläche DO-214AA 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 796-5888
- Herst. Teile-Nr.:
- ES3D V7G
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 3A | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | DO-214AA | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 950mV | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 100A | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 200V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 35ns | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 7.11mm | |
| Höhe | 2.62mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom If 3A | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße DO-214AA | ||
Pinanzahl 2 | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 950mV | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 100A | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 200V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 35ns | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 7.11mm | ||
Höhe 2.62mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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