onsemi Diode Einfach 1 Element/Chip THT DO-201AD 2-Pin Siliziumverbindung 1V
- RS Best.-Nr.:
- 774-3344
- Herst. Teile-Nr.:
- 1N5408G
- Hersteller:
- onsemi
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Gleichrichterdioden, 2 A bis 3 A, ON Semiconductor
Normen
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix NSV- oder SUR- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet.
On Semiconductor bietet zuverlässige und konsistente Produkte. Diese axial-bleihaltigen, glasfaserpassivierten Standard-Rückgewinnungsgleichrichter sind so ausgelegt, dass alle Außenflächen korrosionsbeständig sind und Terminal Leitungen leicht lötbar sind. Darüber hinaus beträgt die Temperatur des Kabels und der Montageoberfläche dieses Produkts für Lötzwecke max. 260 °C für 10 Sekunden.
Diese bleimontierten Standard-Gleichrichter für die Wiederherstellung wurden speziell für den Einsatz in Netzteilen entwickelt. Sie sind auch für den Einsatz in einer Vielzahl anderer Anwendungen konzipiert, die ein Gerät mit Funktionen benötigen, die Funktionen wie z. B....
Diese bleimontierten Standard-Gleichrichter für die Wiederherstellung wurden speziell für den Einsatz in Netzteilen entwickelt. Sie sind auch für den Einsatz in einer Vielzahl anderer Anwendungen konzipiert, die ein Gerät mit Funktionen benötigen, die Funktionen wie z. B....
Funktionen
• Starkstrom bis kleine Größe
• Hohe Stoßstrombelastbarkeit
• Niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung
• Kein wirtschaftliches Kunststoffgehäuse
• in Volumenmengen erhältlich
• Kunststoff erfüllt UL 94 V-0 für Entflammbarkeit
• Dies sind bleifreie Geräte
• Hohe Stoßstrombelastbarkeit
• Niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung
• Kein wirtschaftliches Kunststoffgehäuse
• in Volumenmengen erhältlich
• Kunststoff erfüllt UL 94 V-0 für Entflammbarkeit
• Dies sind bleifreie Geräte
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | DO-201AD |
| Diodentechnologie | Siliziumverbindung |
| Pinanzahl | 2 |
| Maximaler Spannungsabfall | 1V |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 9.5mm |
| Abmessungen | 5.3 (Dia.) x 9.5mm |
| Durchmesser | 5.3mm |