Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 150 A 100 V Oberfläche MiniMELF 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 748-5108P
- Herst. Teile-Nr.:
- LL4448 L1
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 1500 Stück (geliefert auf Rolle)*
€ 84,00
(ohne MwSt.)
€ 100,50
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 16 200 Einheit(en) mit Versand ab 08. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1500 - 7200 | € 0,056 |
| 7500 - 14700 | € 0,055 |
| 15000 - 29700 | € 0,054 |
| 30000 + | € 0,053 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 748-5108P
- Herst. Teile-Nr.:
- LL4448 L1
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 150A | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | MiniMELF | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 100V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 2A | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Länge | 3.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Maximaler Durchlassstrom If 150A | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße MiniMELF | ||
Pinanzahl 2 | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 100V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 2A | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.6mm | ||
Länge 3.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kleinsignal-Schaltdioden, Taiwan Semiconductor
Dioden und Gleichrichter, Taiwan Semiconductor
Verwandte Links
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 150 A 100 V Oberfläche MiniMELF 2-Pin
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 3 A 200 V Oberfläche DO-214AA 2-Pin
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 3 A 400 V Oberfläche DO-214AA 2-Pin
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 3 A 500 V Oberfläche DO-214AA 2-Pin
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 0.15 A 75 V Oberfläche TSOP 2-Pin
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 0.5 A 800 V Oberfläche Sub SMA 2-Pin
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 1 A 600 V Oberfläche Sub SMA 2-Pin
- Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 0.5 A 400 V Oberfläche Sub SMA 2-Pin